STP30N65M5

STMicroelectronics

STP30N65M5
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Teil Nr STP30N65M5
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs
$9.78$8.016$7.234$6.061
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Gesamt:
$9.78

Technische Daten

Datenblatt

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:139 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max):140W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-10078-5
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2880pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 22A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:22A (Tc)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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