IXFX220N17T2

IXYS Corporation

IXFX220N17T2
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Teil Nr IXFX220N17T2
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Auf Lager 78352 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
30 pcs
$10.326
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Zielpreis:(USD)
Menge:
Gesamt:
$10.326

Technische Daten

Datenblatt

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PLUS247™-3
Serie:GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max):1250W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:31000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:500nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):170V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 170V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:220A (Tc)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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