IXFH12N100F

IXYS RF

IXFH12N100F
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Teil Nr IXFH12N100F
Hersteller IXYS RF
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Auf Lager 230 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
30 pcs
$10.444
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Zielpreis:(USD)
Menge:
Gesamt:
$10.444

Technische Daten

Datenblatt

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max):300W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3 Full Pack
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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