FDB150N10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB150N10
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Teil Nr FDB150N10
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Auf Lager 890 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs
$3.41$3.049$2.50
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Zielpreis:(USD)
Menge:
Gesamt:
$3.41

Technische Daten

Datenblatt

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 49A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FDB150N10CT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:57A (Tc)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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