DTA123JET1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTA123JET1G
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Teil Nr DTA123JET1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Auf Lager 8300 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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Zielpreis:(USD)
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Technische Daten

Datenblatt

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SC-75, SOT-416
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-75, SOT-416
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:DTA123
Email:RFQ@blueschip-store.com

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