DMG4413LSS-13

Diodes Incorporated

DMG4413LSS-13
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Teil Nr DMG4413LSS-13
Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Auf Lager 1 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.08$0.955$0.755$0.585$0.462
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Zielpreis:(USD)
Menge:
Gesamt:
$1.08

Technische Daten

Datenblatt

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max):1.7W (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:DMG4413LSS-13DICT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4965pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 30V 10.5A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10.5A (Ta)
Email:RFQ@blueschip-store.com

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