70T633S10BFI8

IDT (Integrated Device Technology)

70T633S10BFI8
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Teil Nr 70T633S10BFI8
Hersteller IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Auf Lager 36826 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1000 pcs
$145.442
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Zielpreis:(USD)
Menge:
Gesamt:
$145.442

Technische Daten

Datenblatt

Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:10ns
Spannungsversorgung:2.4 V ~ 2.6 V
Technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse:208-CABGA (15x15)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:208-LFBGA
Andere Namen:IDT70T633S10BFI8
IDT70T633S10BFI8-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Basisteilenummer:IDT70T633
Zugriffszeit:10ns
Email:RFQ@blueschip-store.com

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