70T633S10BFI8
IDT (Integrated Device Technology)

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Teil Nr | 70T633S10BFI8 |
---|---|
Hersteller | IDT (Integrated Device Technology) |
Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA |
Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
---|---|---|---|---|---|
$145.442 |
Technische Daten
Datenblatt
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 10ns |
---|---|
Spannungsversorgung: | 2.4 V ~ 2.6 V |
Technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 208-CABGA (15x15) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 208-LFBGA |
Andere Namen: | IDT70T633S10BFI8 IDT70T633S10BFI8-ND |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 9Mb (512K x 18) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15) |
Basisteilenummer: | IDT70T633 |
Zugriffszeit: | 10ns |
Email: | RFQ@blueschip-store.com |
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